型号DJ01 / DJ02
厚度12.5 – 50 μm
替代对标宇部 UBE
产品简介
可替代日本宇部的高端 PI 膜，最突出的特点是超高模量、超低热膨胀系数与超低收缩率，热稳定性与均匀性极佳，适用于各种高要求的耐高温绝缘电子级与半导体薄膜市场。
产品特点FEATURES
- 替代日本宇部高端膜
- 超低 CTE 19±3 ppm/℃
- 超高模量
- 热稳定性与均匀性优异
应用场景
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SPEC技术参数
| 型号 | 厚度 μm | 抗拉强度 MPa | 断裂伸长率 % | 弹性模量 GPa | 介电强度 kV/mm | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DJ01 | 12.5±1 | ≥230 | ≥25 | ≥3.8 | ≥160 | CTE 19 ppm/℃ |
| DJ01 | 25±1.5 | ≥250 | ≥35 | ≥3.5 | ≥160 | CTE 19 ppm/℃ |
| DJ02 | 50±2 | ≥200 | ≥35 | ≥3.5 | ≥130 | CTE 19 ppm/℃ |
以上为典型值，实际以出厂技术规格书与实测报告为准。
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